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还在寻找一颗能同时搞定空间与效率挑战的功率开关方案吗？DMP2100UCB9-7双P沟道MOSFET阵列，就是为您破解难题的利器。它集成了两个逻辑电平门控的P沟道MOSFET，让您仅用一颗芯片就能高效完成负载切换、电源隔离等关键任务，极大地简化了您的电路布局。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅100毫欧的低导通电阻和4.2nC的极小栅极电荷，让开关损耗降至最低，直接为您提升系统能效，延长设备续航。其紧凑的9-UFBGA封装，专为空间受限的便携式设备（如手机、平板、可穿戴设备）优化，助您轻松实现更轻薄、更精巧的产品设计。选择它，就是选择了一种高效、节省空间且可靠的功率管理方式。

• 型号:DMP2100UCB9-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1515-9
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 P 沟道（双）共源
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.2nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310pF @ 10V
• 功率 - 最大值:800mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:9-UFBGA，WLBGA
• 供应商器件封装:U-WLB1515-9
• DMP2100UCB9-7，Diodes产品一站式供应商。