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DMP2108UCB6-7 零件图片(仅供参考)

DMP2108UCB6-7
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DMP2108UCB6-7 规格参数

还在寻找一颗能同时征服空间与能效挑战的功率开关解决方案吗?DMP2108UCB6-7正是您的理想之选。这颗双P沟道MOSFET阵列,以其仅55毫欧的超低导通电阻和2.1nC的极小栅极电荷,为您带来极高的开关效率和极低的功率损耗,让您的便携设备续航更持久,响应更迅捷。

它支持8V至24V的宽电压输入,并能在-55°C到150°C的极端温度下稳定工作,为您在各种严苛环境中的应用提供坚实保障。其微型化的6-UFBGA封装(1.5x1.0mm)能极大节省您的电路板空间,让您轻松实现更紧凑、更优雅的产品设计。选择DMP2108UCB6-7,就是选择高效、可靠与极致紧凑的完美融合。

  • 型号:DMP2108UCB6-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:U-WLB1510-6
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.25A 6UWLB
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.25A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):55 毫欧 @ 1A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):269pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:840mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-UFBGA,WLBGA
  • 供应商器件封装:U-WLB1510-6
  • DMP2108UCB6-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMP2108UCB6-7 基本参数:

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