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还在为电源路径上的效率损失和空间紧张而头疼吗？让DMP2109UVT-7来为您分忧！这颗P沟道MOSFET是专为高效、紧凑的负载开关和电源管理而生的利器。

它能为您轻松承载高达3.7A的电流，并以低至80毫欧的导通电阻运行，显著降低导通损耗，直接提升终端设备的续航能力和散热表现。其超低的栅极电荷让驱动变得异常简单高效，而TSOT-26的微型封装则为您节省下宝贵的电路板空间，让设计更纤薄。

无论是用于电池供电设备的电源切换，还是USB端口的负载控制，DMP2109UVT-7都能以稳定的性能和卓越的能效，让您的产品运行得更冷静、更持久、更具竞争力。

• 型号:DMP2109UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:443 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMP2109UVT-7，Diodes产品一站式供应商。