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DMP210DUDJ-7 零件图片(仅供参考)

DMP210DUDJ-7
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DMP210DUDJ-7 规格参数

您是否正在寻找一颗能完美平衡性能、尺寸与成本的MOSFET来优化您的电路设计?DMP210DUDJ-7正是为您而来的解决方案。这颗双P沟道MOSFET阵列,凭借其逻辑电平门功能与仅20V/200mA的规格,让您能轻松驾驭各类低电压、小电流的精密控制任务,例如便携设备的电源开关或信号切换。

它最大的魅力在于“小而强”。SOT-963的超紧凑封装为您节省宝贵的电路板空间,而低至1.15V的栅极阈值电压让它可以被微控制器或低压逻辑电路直接驱动,简化您的系统设计。无论是用于延长电池续航,还是实现高效的能量管理,DMP210DUDJ-7都能以稳定的表现和高达330mW的功率处理能力,助您构建更可靠、更高效的产品。

  • 型号:DMP210DUDJ-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-963
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT963
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.15V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):27.44pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:330mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-963
  • 供应商器件封装:SOT-963
  • DMP210DUDJ-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMP210DUDJ-7 基本参数:

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