我们为全球各个行业提供Diodes DMP210DUFB4-7B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备中笨重、低效的电源开关而头疼吗？DMP210DUFB4-7B正是为您量身打造的解决方案！这颗P沟道MOSFET就像一个高效、灵敏的“电力开关”，让您能以极低的控制电压（最低仅需1.2V）轻松掌控高达200mA的电流通断，显著提升系统的能效表现。

它采用先进的MOSFET技术，在4.5V驱动下导通电阻仅为5欧姆，这意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的便携设备电池更耐用。其超紧凑的X2-DFN1006-3表面贴装封装，小到几乎不占空间，完美契合您对产品轻薄化的极致追求。

无论是为可穿戴设备进行智能省电管理，还是在物联网模块中实现精准的功耗控制，这颗芯片都能让您的设计工作变得轻松高效，直接助力产品赢得更长的续航和更稳定的性能口碑。

• 型号:DMP210DUFB4-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMP210DUFB4-7B，Diodes产品一站式供应商。