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还在寻找一颗能兼顾高性能与小体积的P沟道MOSFET吗？DMP2123L-7正是您的理想之选。它能在20V电压、3A电流的条件下稳定工作，并以低至72毫欧的导通电阻，显著降低开关损耗，让您的设备运行更高效、续航更持久。

这颗芯片专为空间受限的现代电子设备优化。其SOT-23-3的超紧凑封装，让您能在寸土寸金的PCB上轻松布局，实现更精巧的产品设计。同时，它支持低至2.5V的驱动电压，让您能轻松搭配各类主控芯片，简化电路设计。无论是用于电源开关、电机控制还是电池保护电路，它都能提供可靠、高效的性能表现，助您轻松提升产品竞争力。

• 型号:DMP2123L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72 毫欧 @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:443 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP2123L-7，Diodes产品一站式供应商。