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还在为寻找一颗既能节省宝贵PCB空间，又能扛起大电流开关重任的P-MOSFET而烦恼吗？DMP2123LQ-13正是您的理想答案。这颗采用紧凑SOT-23封装的器件，拥有20V的耐压和高达3A的连续电流处理能力，让您能在指尖大小的空间内，实现高效、可靠的电源路径控制。

它的核心魅力在于极低的导通电阻（仅72毫欧@4.5V）和优化的开关特性。这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接为您带来更高的系统效率、更长的电池续航，以及更少的热量困扰。无论是用于负载开关、电源切换还是电机控制，它都能让您的设计更简洁，性能更出众。

• 型号:DMP2123LQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72 毫欧 @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:443 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP2123LQ-13，Diodes产品一站式供应商。