我们为全球各个行业提供Diodes DMP2123LQ-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一款既小巧又强力的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP2123LQ-7正是您的理想答案。这颗采用先进MOSFET技术的器件，能在仅SOT-23的迷你封装内，为您提供20V的耐压和高达3A的连续电流处理能力，让您在极其有限的空间内也能实现高效的电源切换与控制。

它最大的魅力在于其卓越的效率。仅需2.5V的低驱动电压即可开启，并且导通电阻低至72毫欧@3.5A，这能显著减少导通状态下的功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。同时，其快速的开关特性（Qg仅7.3nC）确保了响应迅捷，非常适合需要高效能电源管理的场景。

无论是用于电池供电设备的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流，还是通用的电源隔离，DMP2123LQ-7都能让您的设计工作变得轻松而高效。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）更赋予了产品强大的环境适应能力，是提升产品可靠性与竞争力的秘密武器。

• 型号:DMP2123LQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72 毫欧 @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:443 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP2123LQ-7，Diodes产品一站式供应商。