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DMP213DUFA-7B 零件图片(仅供参考)

DMP213DUFA-7B
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DMP213DUFA-7B 规格参数

还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的负载开关MOSFET吗?DMP213DUFA-7B正是为您量身打造的解决方案。这颗P沟道MOSFET能为您高效地控制电路的通断,其低至10欧姆的导通电阻和微小的栅极电荷,让您的系统开关动作又快又省电,显著提升能效。

它让您轻松应对空间受限的设计挑战。超小的3DFN封装几乎不占地方,同时支持高达25V电压和145mA电流,工作温度横跨-55°C至150°C,可靠性极高。无论是用于便携设备的电源管理,还是信号链路的精密切换,它都能稳定胜任,是您实现紧凑、高效、可靠电路设计的理想选择。

  • 型号:DMP213DUFA-7B
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X2-DFN0806-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):25 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):145mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 欧姆 @ 200mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):0.35 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值):-8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):27.2 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):360mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:X2-DFN0806-3
  • 封装/外壳:3-XFDFN
  • DMP213DUFA-7B,Diodes产品一站式供应商。
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DMP213DUFA-7B 基本参数:

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