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还在寻找一颗能同时驱动双路负载、且对PCB空间“彬彬有礼”的功率开关吗？DMP2160UFDB-7正是为您而来。这颗双P沟道MOSFET，凭借其逻辑电平门驱动特性，让您可以直接用微控制器的GPIO口轻松驾驭，省去额外驱动电路，简化设计的同时降低成本。

它能在仅4.5V的电压下，以低至70毫欧的导通电阻应对2.8A的电流，这意味着更低的导通损耗和更少的发热，直接提升您的系统能效。无论是用于电池供电设备的负载开关、电源路径选择，还是电机、LED的驱动，它都能确保高效、可靠的功率切换。

更令人心动的是，所有这些强大功能都被集成在一个极致的6-UDFN微型封装内。它几乎不占空间，让您能够最大限度地压缩产品体积，为打造更轻薄、更紧凑的终端设备铺平道路。选择DMP2160UFDB-7，就是选择了一种高效、紧凑且可靠的电源管理解决方案。

• 型号:DMP2160UFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 2.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:536pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMP2160UFDB-7，Diodes产品一站式供应商。