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还在为电路板上的空间捉襟见肘而烦恼吗？DMP2160UFDBQ-7就是为您量身打造的解决方案。这颗双P沟道MOSFET阵列，将两个高性能开关集成在仅6-UDFN的超薄封装内，让您轻松实现高密度布局，为产品设计赢得宝贵的毫米级空间。

它不仅仅节省空间，更能显著提升您的系统效率。凭借低至70毫欧的导通电阻和仅6.5nC的栅极电荷，它能极大降低导通与开关损耗，让您的设备运行更“冷静”，电池续航更持久。高达3.8A的电流处理能力和20V的耐压，确保它能够稳健驱动各种负载。选择它，就是选择了一种更高效、更可靠的设计路径。

• 型号:DMP2160UFDBQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 2.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:536pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMP2160UFDBQ-7，Diodes产品一站式供应商。