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DMP2160UWQ-7 零件图片(仅供参考)

DMP2160UWQ-7
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DMP2160UWQ-7 规格参数

还在为复杂的电源开关电路烦恼吗?DMP2160UWQ-7这款P沟道MOSFET,就是您简化设计、提升效率的得力助手。它能轻松承载1.5A的电流,并以低至100毫欧的导通电阻,显著降低功率损耗,让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片专为高效开关而优化,仅需2.5V的低电压即可驱动,完美匹配各类微控制器,让您能灵活控制电源的通断。其紧凑的SOT-323封装为您节省宝贵的电路板空间,而宽泛的工作温度范围和车规级可靠性,则确保它在从消费电子到汽车应用的各类场景中都能稳定发挥。选择它,就是为您的产品选择了一份可靠与高效。

  • 型号:DMP2160UWQ-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT323 T\\u0026R
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):100 毫欧 @ 1.5A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):627 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):350mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
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DMP2160UWQ-7 基本参数:

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