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还在寻找一颗能兼顾高性能与小体积的P沟道MOSFET吗？DMP2165UW-13就是您的理想答案。这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松实现高效的电源开关与路径管理，其低至90毫欧的导通电阻和2.5A的电流能力，确保能量损耗最小化，显著提升系统整体效率。

得益于其1.8V的低驱动电压和仅3.5nC的栅极电荷，它能与您的低压微控制器无缝协作，实现快速、干净的开关动作，让您的设计响应更迅捷。同时，超紧凑的SOT-323封装为您节省每一毫米的电路板空间，是便携式与高密度应用的绝佳选择。选择它，就是选择了一条通往更高效、更紧凑设计的捷径。

• 型号:DMP2165UW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 1.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:335 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMP2165UW-13，Diodes产品一站式供应商。