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还在为空间受限的电路板寻找一颗高效、可靠的功率开关吗？DMP21D2UFA-7B正是您的理想之选！这颗来自Diodes的P沟道MOSFET，采用先进的MOSFET技术，能在仅1.5V的低驱动电压下高效导通，最大程度降低您的系统功耗。

它能让您轻松实现高达20V电压、330mA电流的负载控制，其超低的1欧姆导通电阻确保了极小的功率损耗。无论是用于便携设备的电源管理，还是精密电路的信号切换，它都能让您的设计更紧凑、运行更高效、续航更持久。

• 型号:DMP21D2UFA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):330mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:49 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMP21D2UFA-7B，Diodes产品一站式供应商。