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您正在设计需要精密电源控制的新产品吗？DMP21D5UFD-7正是为您实现这一目标的利器。这颗P沟道MOSFET能轻松担当起负载开关或电源选择器的核心角色，凭借其低至1.2V的驱动电压和高达600mA的电流能力，让您即使在电池供电设备中也能实现高效、可靠的电路通断控制。

它采用先进的MOSFET技术，在4.5V驱动下导通电阻仅为1欧姆，显著降低了功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。超小的DFN封装节省了宝贵的PCB空间，而-55°C至150°C的宽广工作温度范围，则确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。选择DMP21D5UFD-7，就是选择了一个让设计更简单、性能更出众的解决方案。

• 型号:DMP21D5UFD-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.8 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:46.1 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
• DMP21D5UFD-7，Diodes产品一站式供应商。