我们为全球各个行业提供Diodes DMP2200UDW-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂的双路开关电路占用大量板面而头疼吗？DMP2200UDW-13双P沟道MOSFET阵列就是您的空间解放者！它将两个高性能的P沟道MOSFET集成在微小的SOT-363封装内，让您轻松实现负载切换、电源隔离等关键功能，同时为您的PCB布局节省出宝贵空间。

这颗芯片能为您做什么？它让您以极简的设计，掌控高达20V电压和900mA的电流。其低至260毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，提升系统能效，尤其适合电池供电的便携设备。快速的开关特性（低栅极电荷）确保了响应迅捷，而宽温工作范围则赋予了产品从消费级到工业级的可靠适应性。

选择DMP2200UDW-13，意味着您选择了一种高效、紧凑且可靠的解决方案。它能简化您的物料清单（BOM），加速产品开发周期，并最终帮助您打造出更小巧、更持久、更具市场竞争力的电子产品。

• 型号:DMP2200UDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 880mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:184pF @ 10V
• 功率 - 最大值:450mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMP2200UDW-13，Diodes产品一站式供应商。