还在为复杂的电源管理电路寻找一颗高效、可靠的“开关”吗?DMP2215L-7正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET能轻松胜任2.7A的电流开关任务,其低至100毫欧的导通电阻能显著减少功率损耗,让您的设备运行更凉爽、续航更持久。
它采用超紧凑的SOT-23-3封装,为您节省宝贵的电路板空间,非常适合集成到各类便携式电子产品中。无论是用于负载开关、电源选择还是电机控制,DMP2215L-7都能以出色的性能和稳定性,让您的设计工作变得轻松高效,助您快速将创意转化为成熟可靠的产品。
- 型号:DMP2215L-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):100 毫欧 @ 2.7A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):5.3 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):250 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.08W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- DMP2215L-7,Diodes产品一站式供应商。