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还在寻找一颗能兼顾小体积与大电流的P沟道MOSFET吗？DMP2225L-7正是您的理想之选。它能在仅SOT-23-3的微小封装内，为您提供高达2.6A的连续电流处理能力和20V的耐压，其低至110毫欧的导通电阻（@4.5V, 2.6A）能显著降低功率损耗，提升整体能效。

这颗芯片能让您轻松实现高效的负载开关、电源路径管理和信号切换。其低栅极电荷和快速开关特性，特别适合电池供电的便携式设备，帮助您延长产品续航。无论是智能穿戴、IoT模块还是各类消费电子，DMP2225L-7都能以出色的可靠性和宽温工作范围（-55°C ~ 150°C TJ），为您的设计注入强劲而稳定的动力。

• 型号:DMP2225L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 2.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:250 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.08W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP2225L-7，Diodes产品一站式供应商。