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还在寻找能完美平衡空间与性能的电源管理方案吗？DMP22D4UDA-7B双P沟道MOSFET阵列就是您的理想答案。它集成了两个20V耐压的P沟道MOSFET，能以仅1.9欧姆的低导通电阻高效切换电流，显著降低功率损耗，让您的便携设备续航更持久。

这颗芯片采用业界领先的X2DFN0806-6超微型封装，面积极小，能为您节省宝贵的电路板空间，轻松实现更紧凑、更轻薄的终端产品设计。其优异的开关特性（栅极电荷仅0.4nC）确保快速响应，同时宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）保障了在各种环境下的可靠运行。选择它，就是为您的可穿戴设备、IoT模块或便携式仪器注入高效、可靠的核心动力。

• 型号:DMP22D4UDA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.328A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):328mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:28.5pF @ 15V
• 功率 - 最大值:310mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-SMD，无引线
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-6
• DMP22D4UDA-7B，Diodes产品一站式供应商。