我们为全球各个行业提供Diodes DMP22D4UFA-7B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关解决方案？DMP22D4UFA-7B正是您的理想之选。这颗P沟道MOSFET拥有20V的漏源电压和330mA的连续电流能力，凭借其低至1.9欧姆的导通电阻和仅0.4nC的超低栅极电荷，它能帮助您轻松实现高效、快速的电源路径管理，显著降低开关损耗和整体功耗。

更令人惊喜的是，它采用前沿的3-DFN0806H4微型封装，面积几乎可以忽略不计，让您在极其紧凑的PCB空间内也能游刃有余地进行布局设计。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种严苛环境下的稳定表现。选择它，就是选择让您的产品在能效、可靠性和小型化方面同时获得飞跃，轻松打造出更具市场竞争力的终端设备。

• 型号:DMP22D4UFA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN0806H4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):330mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:28.7 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMP22D4UFA-7B，Diodes产品一站式供应商。