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您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时节省宝贵电路板空间的功率开关？DMP2305UVT-7正是为您而来的答案。这颗P沟道MOSFET拥有20V耐压和4.2A的强大电流处理能力，而其导通电阻在4.5V驱动下可低至60毫欧，能显著降低导通损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它采用微型的SOT-23-3封装，非常适合空间受限的便携式电子产品设计。更令人惊喜的是，它仅需1.8V的低电压即可高效开启，让您能轻松应用于单节锂电池或低电压逻辑电路中，实现高效的电源路径管理和负载开关。选择它，就是选择了一种高效、紧凑且可靠的电源解决方案。

• 型号:DMP2305UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 4.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:727 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMP2305UVT-7，Diodes产品一站式供应商。