我们为全球各个行业提供Diodes DMP2540UCB9-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为便携设备的电源路径管理寻找一颗高效、小巧的“开关”吗？DMP2540UCB9-7正是您理想的答案。这颗P沟道MOSFET能为您做什么？它能让您在1.8V的低驱动电压下，轻松控制高达4A的负载通断，其极低的导通电阻（仅40毫欧@4.5V）能大幅减少开关过程中的功率损耗，直接转化为更长的设备续航时间和更低的温升。

它采用超微型的U-WLB1515-9封装，面积惊人地小巧，为您节省宝贵的电路板空间，让产品设计更富弹性。无论是用于电池保护、负载开关还是电源反接保护，DMP2540UCB9-7都能以高效、可靠的表现为您的系统保驾护航。

• 型号:DMP2540UCB9-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1515-9
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 25V 4A U-WLB1515-9
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1515-9
• 封装/外壳:9-UFBGA，WLBGA
• DMP2540UCB9-7，Diodes产品一站式供应商。