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还在为高压小电流电路中的开关控制寻找最优解吗？让DMP25H18DLFDE-13来为您实现！这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，核心使命就是让您在高达250V的应用电压下，依然能实现高效、精准的电源管理与信号切换。

它拥有260mA的连续漏极电流能力，配合低至2.8nC的栅极电荷和81pF的输入电容，确保了极快的开关速度和极低的驱动损耗。这意味着它能显著提升您的系统响应效率，同时降低整体功耗。其紧凑的U-DFN2020-6封装，更能帮助您轻松应对空间受限的现代电子设计，让产品更小巧、更高效。

• 型号:DMP25H18DLFDE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:81 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMP25H18DLFDE-13，Diodes产品一站式供应商。