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还在为寻找一颗既能承受大电流又具备超低损耗的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP26M7UFG-7正是您理想的解决方案。它专为高效电源管理而生，其极低的6.7毫欧导通电阻能显著减少导通损耗，而优化的栅极电荷则确保了快速的开关速度，从而全面提升系统的能源利用效率。

这颗芯片能让您的设计轻松应对高达18A的连续电流，在负载开关、电机驱动和DC-DC转换等应用中游刃有余。其坚固的PowerDI3333-8封装提供了出色的散热性能和可靠性，非常适合空间受限的现代电子产品。选择DMP26M7UFG-7，就是选择了一个高效、可靠且易于集成的核心部件，让您能够更专注于产品创新，加速项目成功。

• 型号:DMP26M7UFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.7 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:156 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5940 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP26M7UFG-7，Diodes产品一站式供应商。