还在为寻找一颗能在紧凑空间内高效控制大电流的P沟道MOSFET而费神吗?DMP3004SSS-13正是为您而来的解决方案。这颗芯片能为您做什么?它能让您轻松驾驭高达16.2A的连续电流,凭借低至4毫欧的导通电阻,显著降低开关损耗和发热,直接提升您整个电源或驱动系统的效率与可靠性。
它专为简化您的设计而生。4.5V的低驱动电压让它可以被多种控制芯片轻松驱动,而优化的栅极电荷则确保了快速干净的开关响应。无论是用于电机控制、电源转换还是负载开关,它都能让您的产品运行更凉爽、更持久、更高效。选择它,就是为您的核心电路选择了一位值得信赖的高性能伙伴。
- 型号:DMP3004SSS-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:8-SO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T\\u0026R 2
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.2A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):156 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):7693 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SO
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
- DMP3004SSS-13,Diodes产品一站式供应商。