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还在为电源设计中的空间与效率矛盾而困扰吗？DMP3007SCG-7 P沟道MOSFET是您破局的关键。它能在紧凑的V-DFN3333-8封装内，轻松驾驭高达50A的连续电流，并通过低至6.8毫欧的导通电阻，显著降低功耗与发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片专为 demanding 应用而优化。其优异的栅极电荷特性确保了快速的开关响应，非常适合需要高频操作的负载开关和电机驱动。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则提供了坚实的可靠性保障，让您的产品无论面对何种环境挑战都能稳定发挥。选择它，就是为您的设计选择了性能与空间的最佳平衡点。

• 型号:DMP3007SCG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.8 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2826 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3007SCG-7，Diodes产品一站式供应商。