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您正在寻找一颗能轻松驾驭大电流、同时保持超低损耗的功率开关吗？DMP3007SCGQ-13正是您的理想之选。这颗P沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达50A的连续电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻最低仅6.8毫欧。这意味着在导通状态下，它能将能量损耗降至极低，让您的系统运行更凉爽、效率更高，直接帮助您优化整体能效表现。

更令人振奋的是，它专为严苛环境打造。符合汽车级AEC-Q101标准，并能在-55°C至150°C的极端温度范围内稳定工作，让您的设计从容应对车载应用或工业环境的挑战。其紧凑的8DFN表面贴装封装，不仅为您节省宝贵的电路板空间，还提供了优异的散热特性。无论是用于电机驱动、负载开关还是电源路径管理，DMP3007SCGQ-13都能让您以更小的体积，实现更强大、更可靠的功率控制。

• 型号:DMP3007SCGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.8 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2826 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3007SCGQ-13，Diodes产品一站式供应商。