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还在为寻找一颗既能扛大电流、又拥有极低损耗，还能轻松集成进紧凑空间的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3008SFG-13正是您的理想答案。它专为高效电源管理而生，其卓越的17毫欧超低导通电阻，能显著减少开关及传导过程中的能量损失，让您的系统运行更凉爽，续航更持久。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达8.6A的连续电流，胜任从负载开关、电机控制到电源分配等各种关键任务。其优化的栅极电荷（仅47nC）和输入电容，确保了快速平滑的开关切换，极大提升了整体响应速度与效率。无论是追求轻薄便携的消费电子，还是要求稳定可靠的工业设备，选择DMP3008SFG-13，就是选择了一种更高效、更可靠的设计方案，助您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:DMP3008SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2230 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3008SFG-13，Diodes产品一站式供应商。