我们为全球各个行业提供Diodes DMP3008SFG-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能兼顾高效率与高可靠性的P沟道MOSFET吗？DMP3008SFG-7正是为您量身打造的解决方案。它拥有30V的漏源电压和8.6A的连续电流能力，配合低至17毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源管理系统运行得更“冷静”、更持久。

这颗芯片采用先进的MOSFET技术，栅极驱动电压需求灵活（4.5V至10V），阈值电压特性优异，让您能轻松设计驱动电路，实现快速、干净的开关动作。其紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，其高达900mW的功率耗散能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），更能确保您的产品在各种环境下稳定高效运行，是便携设备、电源管理和电机驱动等应用的理想选择。

• 型号:DMP3008SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2230 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3008SFG-7，Diodes产品一站式供应商。