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还在为寻找一颗既能承载大电流又兼顾高效开关的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3008SFGQ-13正是为您解忧的利器。它能轻松胜任高达8.6A的电流切换任务，凭借低至17毫欧的导通电阻，显著减少导通损耗，让您的电源管理方案发热更少、效率更高。

这颗芯片采用先进的MOSFET技术，拥有优异的开关特性。其极低的栅极电荷让驱动变得轻松高效，加速系统响应；同时，宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了它在各种严苛环境下的稳定表现。无论是用于负载开关、电机控制还是电源转换，DMP3008SFGQ-13都能让您的设计更可靠、性能更出众。

• 型号:DMP3008SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2230 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3008SFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。