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还在为电源开关的效率与体积烦恼吗？DMP3008SFGQ-7正是为您破解这一难题的利器。这颗P沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达8.6A的电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅17毫欧@10V），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI3333-8超小型封装，在提供强大功率处理能力的同时，极大节省了电路板空间，非常适合追求高功率密度的现代电子设计。其宽广的驱动电压范围（4.5V-10V）和优异的栅极电荷特性，让您能轻松搭配各种控制器，实现快速、干净的开关动作，全面提升电源管理性能。

无论是用于负载开关、电源路径管理还是电机控制，DMP3008SFGQ-7都能以卓越的稳定性和能效，成为您设计中值得信赖的核心。选择它，让您的产品在性能和体积上获得双重优势。

• 型号:DMP3008SFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2230 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3008SFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。