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还在为电源路径上的功率损耗烦恼吗？DMP3013SFK-13专为解决此类痛点而生。这颗P沟道MOSFET拥有30V耐压和10.5A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的14毫欧导通电阻，能显著减少导通状态下的能量损耗，让您的系统运行更凉快、更持久。

它能让您轻松驾驭高频开关场景。得益于仅33.7nC的低栅极电荷，开关速度迅捷，开关损耗大幅降低，整体效率得以提升。无论是用作负载开关、电机驱动还是电池管理系统中的关键开关，它都能确保高效、可靠的功率控制。其紧凑的U-DFN封装更适合高密度PCB布局，助您打造更小巧、更强大的终端产品。

• 型号:DMP3013SFK-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2523-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1674 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta），19.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2523-6
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMP3013SFK-13，Diodes产品一站式供应商。