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您是否正在为电源路径管理、电机控制或负载开关寻找一颗既强悍又高效的“心脏”？DMP3017SFG-7 P沟道MOSFET正是您的理想之选。它能轻松应对30V电压和11.5A的大电流，同时凭借低至10毫欧的导通电阻，显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更出众。

这颗芯片的卓越之处在于，它能让您的设计事半功倍。其快速的开关特性（栅极电荷仅41nC）确保了精准的控制响应，而紧凑的PowerDI3333-8封装则为您节省了宝贵的电路板空间。无论是提升终端产品的续航时间，还是增强工业设备的可靠性，DMP3017SFG-7都能提供坚实而高效的动力支持，助您轻松打造更具市场竞争力的解决方案。

• 型号:DMP3017SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2246 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3017SFG-7，Diodes产品一站式供应商。