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还在为寻找一颗既能承受大电流又具备超低导通损耗的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3017SFK-13正是您期待的解决方案。它能轻松驾驭30V/10.4A的功率场景，凭借低至14毫欧的导通电阻，大幅减少功率损耗和发热，让您的电源管理或负载开关电路运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它让您在设计高边开关时更加简单高效，其优异的开关特性（低栅极电荷）有助于提升系统整体能效。无论是空间紧凑的便携设备，还是环境严苛的工业应用，其表面贴装的小型化封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），都确保了卓越的可靠性和强大的环境适应能力，是您打造高性能、高可靠性产品的理想选择。

• 制造商产品型号：DMP3017SFK-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10.4A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：90nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4414pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：U-DFN2523-6
• DMP3017SFK-13，Diodes产品一站式供应商。