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还在为寻找一颗既能承受大电流又兼顾高效率的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3018SFK-13就是您理想的解决方案。它能轻松处理高达10.2A的连续电流，凭借低至14.5毫欧的导通电阻，大幅减少开关和导通损耗，直接为您提升系统能效，并简化散热设计。

这颗芯片专为高效功率切换而生。其4.5V的低驱动电压让您的控制电路设计更简单，而紧凑的U-DFN2523-6表面贴装封装，则能帮助您最大化利用宝贵的PCB空间。无论是电源管理、电机驱动还是负载开关应用，DMP3018SFK-13都能让您以更小的体积和更低的功耗，实现稳定可靠的性能输出。

• 型号:DMP3018SFK-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2523-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4414 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2523-6
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMP3018SFK-13，Diodes产品一站式供应商。