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您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时保持设计紧凑的功率开关芯片？DMP3026SFDE-7正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET拥有30V耐压和10.4A的强大电流处理能力，其核心价值在于惊人的19毫欧超低导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它采用节省空间的6引脚U-DFN封装，非常适合高密度电路板设计。优异的开关特性（低栅极电荷）让您轻松实现高速开关控制，提升整体电源转换效率。无论是用于电源开关、电机驱动还是电池保护电路，DMP3026SFDE-7都能以卓越的稳定性和性能，助您高效完成设计，打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMP3026SFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1204 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMP3026SFDE-7，Diodes产品一站式供应商。