还在为寻找一颗既能高效开关又能节省空间的P沟道MOSFET而烦恼吗?DMP3026SFDF-7就是您期待的答案。它专为 demanding 的电源管理和负载开关应用而生,让您轻松驾驭高达10.3A的电流和30V的电压,其超低的19毫欧导通电阻能显著减少功率损耗,直接提升您产品的整体能效和续航能力。
这颗芯片采用先进的U-DFN2020-6微型封装,完美适配现代电子产品对轻薄紧凑的极致追求。其宽广的-55°C至150°C工作温度范围和优化的栅极电荷特性,确保了在各种复杂环境下的稳定、快速开关。选择它,就是为您的设计注入高效与可靠的基因,让产品开发事半功倍。
- 型号:DMP3026SFDF-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:U-DFN2020-6(F 类)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.3A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):19 毫欧 @ 4.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):19.6 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1204 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:U-DFN2020-6(F 类)
- 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
- DMP3026SFDF-7,Diodes产品一站式供应商。