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DMP3028LFDE-7 零件图片(仅供参考)

DMP3028LFDE-7
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DMP3028LFDE-7 规格参数

还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起大电流的P沟道MOSFET而烦恼吗?DMP3028LFDE-7正是您期待的答案。这颗芯片能轻松处理高达6.8A的连续电流,凭借仅32毫欧的超低导通电阻,它能显著减少开关过程中的功率损耗,直接提升您整个系统的运行效率,让设备更凉爽,续航更持久。

它采用紧凑的U-DFN2020-6表面贴装封装,为您节省宝贵的电路板空间,非常适合追求轻薄化的现代电子设备。其宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)和稳定的性能,让您无论是设计消费电子产品还是应对严苛的工业环境,都能充满信心。选择它,就是选择了一种高效、可靠且节省空间的电源管理解决方案。

  • 型号:DMP3028LFDE-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:U-DFN2020-6(E 类)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):32 毫欧 @ 7A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1241 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):660mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:U-DFN2020-6(E 类)
  • 封装/外壳:6-PowerUDFN
  • DMP3028LFDE-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMP3028LFDE-7 基本参数:

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