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您正在寻找一颗能扛起大电流重任，同时保持冷静高效的P沟道MOSFET吗？DMP3028LK3-13正是为您而来。它拥有30V的耐压和高达27A的连续电流承载能力，其核心魅力在于惊人的25毫欧超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或负载开关应用效率大幅提升，电能得以更充分地利用。

这颗芯片采用先进的MOSFET技术，具备4.5V的低开启电压和极低的栅极电荷，让您能够轻松驱动，实现快速、干净的开关动作。无论是用于电机控制、电源分配还是电池保护电路，它都能确保系统运行更稳定、更凉爽。其坚固的TO-252封装和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），赋予了产品卓越的可靠性和环境适应性，是您打造高性能、高可靠性设备的理想选择。

• 型号:DMP3028LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 27A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1241 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMP3028LK3-13，Diodes产品一站式供应商。