我们为全球各个行业提供Diodes DMP3035SFG-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为P沟道MOSFET的功率损耗和开关速度纠结吗？DMP3035SFG-7将彻底改变您的看法。这颗芯片能为您轻松驾驭高达8.5A的电流，凭借其低至20毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，让您的电源路径效率大幅提升，设备运行更凉爽、续航更持久。

它专为高效开关而优化，极低的栅极电荷和输入电容让开关动作干净利落，大幅减少开关损耗，特别适合高频应用的DC-DC转换、负载开关和电机驱动。采用紧凑的PowerDI3333-8封装，为您节省板级空间，同时其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保在各种严苛环境下稳定可靠。选择它，就是为您的设计选择了高效、紧凑与可靠的三重保障。

• 型号:DMP3035SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1633 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:950mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3035SFG-7，Diodes产品一站式供应商。