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还在为寻找一颗既能承受大电流又具备超低导通电阻的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3036SFG-13正是您理想的解决方案。它能在仅10V的驱动电压下，实现低至20毫欧的导通电阻，轻松驾驭高达8.7A的连续电流，显著降低开关损耗和发热，让您的电源管理设计更高效、更可靠。

这颗芯片采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，不仅节省电路板空间，其优异的散热特性更能确保系统在-55°C至150°C的广泛温度范围内稳定工作。无论是用于电池保护、负载开关还是电机控制，DMP3036SFG-13都能以卓越的性能，助您轻松提升产品能效与整体竞争力。

• 型号:DMP3036SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1931 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:950mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3036SFG-13，Diodes产品一站式供应商。