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还在为寻找一款既能承载大电流又足够小巧的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3036SFV-13正是为您量身打造的答案。它能让您轻松驾驭高达30A的连续电流，凭借其出色的低导通电阻（低至20毫欧），显著降低功率损耗和温升，从而让您的电源路径设计更高效、更可靠。

这颗芯片采用紧凑的PowerDI3333-8封装，完美解决了高功率密度与有限板载空间之间的矛盾。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定发挥。无论是用于负载开关、电机控制还是电源管理，DMP3036SFV-13都能以卓越的性能，让您的产品在能效和可靠性上脱颖而出。

• 型号:DMP3036SFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1931 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3036SFV-13，Diodes产品一站式供应商。