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还在寻找一颗能扛起大电流开关重任，同时保持冷静与高效的P沟道MOSFET吗？DMP3036SSS-13正是您期待的答案。它拥有30V的耐压和高达19.5A的连续电流能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅20毫欧@10V），能显著降低开关过程中的功率损耗和发热，让您的电源管理系统运行得更凉爽、更持久。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松实现高效的负载切换和电源路径管理。无论是智能手机的快充保护、无人机电池的放电控制，还是各类便携设备中的节能开关，其快速的开关特性和5V逻辑电平兼容性，都让电路设计变得异常简单。您无需复杂的驱动电路，即可可靠地控制大电流的通断，从而提升整体系统的能效和可靠性。

选择DMP3036SSS-13，意味着您选择了一个经过市场验证的高性能解决方案。其紧凑的8-SO表面贴装封装节省了宝贵的PCB空间，而宽广的工作温度范围则确保了它在各种环境下都能稳定工作。让它成为您下一个设计中的核心开关，高效赋能，助力产品脱颖而出。

• 型号:DMP3036SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1931 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMP3036SSS-13，Diodes产品一站式供应商。