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还在寻找一款能兼顾高效率与高集成度的功率开关解决方案吗？DMP3048LSD-13正是为您量身打造。这颗双P沟道MOSFET集成了两个独立的30V通道，每通道可轻松驾驭高达4.8A的电流，而其极低的导通电阻（仅48毫欧）能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为优化开关性能而生，低栅极电荷和输入电容让开关动作干净利落，极大提升了系统的响应速度与能效。无论是用于负载开关、电源路径管理还是电机驱动，它都能让您的设计更加紧凑可靠。其坚固的工业级标准封装和宽温工作范围，确保在各种应用场景下都能稳定输出，是您提升产品竞争力的理想选择。

• 型号:DMP3048LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 4.8A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1438pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.7W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• DMP3048LSD-13，Diodes产品一站式供应商。