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还在寻找一颗能兼顾高效能与高集成度的P沟道MOSFET吗？DMP3050LSS-13正是您的理想之选。它能让您轻松构建高效的电源路径管理，其低至45毫欧的导通电阻（@10V）能显著减少功率损耗，提升系统整体效率，同时其4.8A的连续电流能力为您的设计提供充沛动力。

这颗采用紧凑8-SO封装的芯片，集成了优异的电气特性。优化的栅极驱动电压（4.5V/10V）和低栅极电荷，让您的开关控制更加迅速、高效，有效降低开关噪声。其坚固的设计支持高达30V的漏源电压和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的应用在各种严苛环境下都能稳定运行，是提升产品可靠性与竞争力的关键组件。

• 型号:DMP3050LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMP3050LSS-13，Diodes产品一站式供应商。