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还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起大电流的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3050LVT-7就是您期待的解决方案！这颗芯片能为您做什么？它就像一位高效、强健的“电力守门员”，在您的电路中负责精准、快速地接通或切断电源路径。

凭借仅50毫欧的超低导通电阻，它能极大减少电流通过时的能量损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。其4.5A的连续电流能力和30V的耐压，让它在负载开关、电机控制、电源反向保护等应用中游刃有余。TSOT-26的超小封装，更是为您宝贵的PCB空间“减负”，让设计更加紧凑灵活。

选择DMP3050LVT-7，就是选择了一种让电源管理更高效、更可靠的简单方式，助您轻松打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMP3050LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMP3050LVT-7，Diodes产品一站式供应商。