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您是否正在寻找一颗既能节省宝贵PCB空间，又能扛起功率转换重任的“全能型”开关？DMP3056L-13正是您的理想答案。这颗P沟道MOSFET拥有30V耐压和4.3A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅50毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的设备运行更凉爽、能效更高。

它专为高效开关而优化，低栅极电荷和电容特性让开关速度更快、损耗更低，轻松应对高频开关需求。无论是用于电池供电设备的负载开关、电源路径管理，还是电机驱动等应用，它都能让您的设计更紧凑、性能更强劲。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和SOT-23封装，进一步确保了在各种环境下的可靠性与易用性，是提升产品竞争力的高效之选。

• 型号:DMP3056L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:642 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.38W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP3056L-13，Diodes产品一站式供应商。