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您是否正在寻找一颗能显著提升电路效率、同时节省宝贵板级空间的功率开关？DMP3056L-7正是为您而来的解决方案。作为一款高性能P沟道MOSFET，它能让您轻松驾驭30V电压和4.3A电流，其卓越的50毫欧低导通电阻，意味着更低的功率损耗和发热，直接将更高的能源效率注入您的产品。

这颗芯片专为高效开关应用而优化。它能让您的负载开关、电源路径管理或电机驱动电路运行得更快、更凉爽。其紧凑的SOT-23封装非常适合空间受限的便携式设备设计，而宽广的工作温度范围则确保了从消费电子到工业控制等各种环境下的可靠表现。选择DMP3056L-7，就是选择了一种让设计更精简、性能更出众的轻松方式。

• 型号:DMP3056L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:642 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.38W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP3056L-7，Diodes产品一站式供应商。