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还在为寻找一款既小巧又强力的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3056LDM-7就是您的理想答案。这颗采用先进MOSFET技术的器件，拥有30V耐压和4.3A的连续电流能力，却能轻松嵌入微小的SOT-26封装内，让您在高密度设计中游刃有余。

它的核心魅力在于极高的效率。仅45毫欧的低导通电阻，能显著降低功率损耗和发热，而低至2.1V的阈值电压和优化的栅极电荷，让您能用更简单的驱动电路实现快速、高效的开关控制。无论是用于电池供电设备的负载开关，还是电源管理单元的功率路径控制，它都能让您的系统运行得更凉爽、更持久。

从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的底气。选择DMP3056LDM-7，就是为您的产品选择了一份兼具高性能、高可靠性和高空间利用率的卓越解决方案，助您轻松打造出更具市场竞争力的终端设备。

• 型号:DMP3056LDM-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:948 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.25W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• DMP3056LDM-7，Diodes产品一站式供应商。