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还在为复杂的双路开关电路寻找简洁高效的解决方案吗？DMP3056LSDQ-13正是为您而来的答案。这颗双P沟道MOSFET阵列，将两个高性能开关集成于一个微小的SO-8封装内，让您轻松实现紧凑的PCB布局，同时享受高达6.9A的电流承载能力和低至45毫欧的导通电阻，显著降低功耗与发热。

它专为严苛环境而生，通过AEC-Q101车规认证，工作温度横跨-55°C至150°C，确保在汽车电子、工业控制等关键应用中的绝对可靠性。其优化的开关特性（低栅极电荷与输入电容）让您的系统响应更快，驱动更轻松。选择DMP3056LSDQ-13，就是选择用一颗芯片，高效解决您的双路负载切换与电源管理难题。

• 型号:DMP3056LSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.9A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:722pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMP3056LSDQ-13，Diodes产品一站式供应商。